Программа конференции

Научная программа конференции включает в себя:

  • Приглашенные доклады (продолжительность – 30 мин).
  • Устные доклады (продолжительность – 20 мин).
  • Стендовые доклады (размер постера – А0).

Основные направления конференции:

  • Сильноточная электроника
  • Электровзрывные процессы
  • Проекционная рентгенография
  • Электронная и фотоэмиссия
  • Взаимодействие фемтосекундных лазерных импульсов с наноантеннами
  • Оптоэлектроника и терагерцовая электроника
  • Полупроводниковые гетероструктуры

Программа III Всероссийской конференции

«Импульсная Сильноточная Вакуумная и Полупроводниковая Электроника»

ИСВПЭ-2017 (19-20 октября 2017, ФИАН)

Секция 1. Импульсная сильноточная вакуумная электроника (19.10.2017)

Время Авторы Название Доклада
Секция 1. Ведущий – В.С. Лебедев
1 12.00 С.Ю.Савинов Вступительное слово
2 12.05 А.И.Савватимский,  С.В. Онуфриев Аномальные эффекты при импульсном нагреве металлов и графита
Перерыв на обед (12.35-14.00)
Секция 2. Ведущий – С.А. Пикуз
3 14.00 Е.В. Паркевич,           М.А.Медведев,         М.А.Хитько, А.И.Хирьянова, С.И.Ткаченко, А.В.Агафонов, А.В.Огинов, Т.А.Шелковенко, С.А.Пикуз Нитевидная микроструктура токовых каналов в искровой стадии наносекундного разряда
4 14.35 А.И.Хирьянова, Е.В.Паркевич, С.И.Ткаченко Анализ интерферограмм, полученных на малых плазменных объектах при изучении разряда в воздухе
5 15.00 Е.М.Анохин, М.А.Попов, И.В.Кочетов,  А.Ю.Стариковский, Н.Л.Александров Развитие высоковольтного наносекундного разряда и распад плазмы в горючих газовых смесях
6 15.25 М.А.Шейндлин, А.А.Васин, С.В.Петухов, Т.М.Фаляхов, А.М.Фролов Современное Состояние Исследований Сверхтугоплавких Нестехиометрических Карбидов при Экстремально Высоких Температурах
Перерыв 20 минут (16.00-16.20)
Секция 3. Ведущий – А.А. Нариц
7 16.40 А.М.Фролов, М.А.Шейндлин Исследование Состава Паров над Поверхностью Высокоориентированного Пирографита при Температурах до 4500 К
8 17.00 А.В.Дороватовский, М.А.Шейндлин Определение энтальпии металлического урана в диапазоне 1200-3500К методом импульсного нагрева
9 17.20 Е.В.Есингильдинов, Ю.Д.Заварцев, М.В.Завертяев, А.И.Загуменный, В.А.Козлов, С.А.Кутовой, Н.В.Пестовский, А.А.Петров, А.А.Родионов и С.Ю.Савинов Импульсная катодолюминесценция диоксида кремния в области 490 нм
10 17.50 А. Д.Кондорский, К.С.Кислов, А.А.Нариц Влияние эффектов «закрытого» и «открытого» перерассеяния на спектры надпороговой фотоэмиссии составных наноантенн типа «галстук-бабочка»

Секция 2. Импульсная полупроводниковая электроника и фотоника (20.10.2017)

 Секция 1 «СВЧ электроника и магнитные явления в полупроводниках»

  1. «Генерация терагерцевого излучения фотопроводящими антеннами на основе эпитаксиальных плёнок In0.5Ga0.5As на подложках арсенида галлия»

К. А. Кузнецов1, Г. Б. Галиев2, Г. Х. Китаева1, Е. А. Климов2, А. Н. Клочков2, В. В. Корниенко1, А. А. Леонтьев1, С. С. Пушкарёв2

1МГУ им. М.В. Ломоносова, 2ИСВЧПЭ РАН

  1. «Схема экспериментального исследования физических процессов в полупроводниковых устройствах при воздействии сверхкоротких электромагнитных импульсов»

В. С. Кривобок1, Ю. В. Парфенов2, В. М. Чепелев 2

1 ФИАН, 2 ОИВТ РАН

  1. «Выращивание тонких пленок Bi2-xSbxTe3-ySey методом MOVPE и характеризация их транспортных свойств»

П. И. Кузнецов, Г. Г.Якущева, Б. С. Щамхалова, В. А. Житов, А. Г. Темирязев, В. О. Япаскурт, В. Е. Сизов.

ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

  1. «Нематическая сверхпроводимость в SrxBi2Se3»

М. А. Брызгалов, А. Ю. Кунцевич, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, В. П. Мартовицкий

ФИАН

  1. «Двумерные спиновые пружины в магнитных “островковых сверхрешетках»

А. П. Болтаев, Д. А. Егоров, Ф. А. Пудонин, И. А. Шерстнев

ФГБУН, ФИАН

  1. «Кинетика релаксации электронов в системе уровней Ландау квантовых ям»

М. П. Теленков1,2, Ю. А. Митягин1,3, Т. Н. В. Доан1,2

1ФИАН, 2 НИТУ «МИСиС», 3 НИЯУ «МИФИ»

  1. «Моделирование сетей и глобул заряженных доменных стенок, индуцированных оптической или электрической накачкой»

П. И. Карпов1, С. А. Бразовский2

1НИТУ «МИСиС», 2Paris-Sud Univrsity

Секция 2 «Фотоника»

  1. «Спонтанная поляризация отдельных импульсов излучения поляритонного конденсата в GaAs микрорезонаторе: измерение с высоким временным разрешением»

М. В. Кочиев1,2, В. В. Белых1,2,3, Н. Н. Сибельдин1,2

1ФГБУН, 2ФИАН, 3TU Dortmund

  1. «Спектрометры мягкого рентгеновского диапазона на основе VLS-решёток»

Е. А. Вишняков1, А. О. Колесников1,2, Е. Н. Рагозин1,2, А. Н. Шатохин1,2

1 ФИАН, 2МФТИ(ГУ)

  1. «Исследование оптических и спиновых свойств NV центров в агрегатах детонационных наноалмазов»

С. В. Большедворский1,2, В. В. Воробьев1,2, В. В. Сошенко1, А. И. Зеленеев2, В. Н. Сорокин1,3, А. В. Акимов1,3,4

1ФИАН, 2МФТИ (ГУ), 3РКЦ, 4Texas A&M University

  1. «Изучение новых хост -материалов в органических светодиодах на основе комплексов тербия»

Д. О. Горячий1, А. А. Ващенко1,2, А. Н. Асландуков3, В. В. Уточникова3

1 МФТИ(ГУ), 2 ФИАН, 3МГУ им. М.В. Ломоносова

  1. «Численное моделирование процессов релаксации в системе экситонов»

И. О. Кузнецов, П. Ф. Карцев

НИЯУ «МИФИ»

  1. «Пространственное распределение люминесценции в объеме кристаллов ZnSe и ZnS, легированных железом и хромом»

А. А. Гладилин, В. П. Калинушкин, О. В. Уваров

ИОФ РАН

  1. «Методы усиления видимой люминесценции кремний германиевых гетероструктур»

С.Н. Николаев1, В.С. Кривобок1, В.С. Багаев1, А.В Новиков2

1ФИАН, 2ИФМ РАН

 

Стендовая секция

  1. «Люминесценция β-дикетонатных комплексов на основе трехзарядного иона гольмия»

Д.А.Комиссар1, М.Т.Метлин2, C.А.Амброзевич 1,2,3, И.В.Тайдаков2

1МФТИ (ГУ), 2ФИАН, 3МГТУ им. Н.Э. Баумана

  1. «Люминесценция пиразолсодержащего 1,3-дикетонатного комплекса Pr (III) С 1,10-фенантролином»

М.Т. Метлин, С. А. Амброзевич, Д. А. Метлина, И. В. Тайдаков, А. Г. Витухновский

ФИАН

  1. «Исследования влияния барьерного слоя в металлизации на контактное сопротивление при нагреве несплавных омических контактов»

В.Ю. Павлов, А.Ю. Павлов, Д.Н. Слаповский

ИСВЧПЭ РАН

  1. «Исследование зависимости удельного контактного сопротивления от температуры для сплавных омических контактов на основе Si/Al для HEMT AlGaN/GaN»

Д.Н. Слаповский1, А.Ю. Павлов1, В.Ю. Павлов1, А.В. Клековкин1,2, К.Н. Томош 1

1ИСВЧПЭ РАН, 2ФИАН

  1. «Наноструктуры для оптоэлектроники на основе многослойных гетероструктур Ge/SiGe, выращенных на кремнии»

Т. М. Бурбаев1, Ю. Г. Садофьев1, М. А. Акмаев1, В. А. Алешкини3, Ю. А. Алещенко1,2, А. В. Клековкин1,4, А. В Муратов1, А. В. Новиков3, В. В. Ушаков3, П. А. Юнин3, Д. В. Юрасов3

1ФИАН, 2НИЯУ «МИФИ», 3ИФМ РАН, 4ИСВЧПЭ РАН

  1. «Исследование динамики электронов в Bi2Se3 методом ИК фемтосекундной спектроскопии»

 А. В. Березутский

ФИАН

  1. «Исследование морфологии нетканых иглопробивных материалов и формирование имитационной модели их свойств и структуры»

А. Г. Евдокимов, Ф. А. Доронин, Г. О. Рытиков, В. Г. Назаров

МПУ

  1. «Разработка гибкой полимерной основы для органической фотоники с применением полиграфических и аддитивных технологий»

Ф. А. Доронин, Г. О. Рытиков, В. Г. Назаров

МПУ

  1. «Фотонные структуры, созданные методом STED-DLW-стереолитографии»

Р. Д. Звагельский1,2, Д. А. Колымагин1, А. В. Писаренко1, Д. А. Чубич1, А. Г. Витухновский1,2

1ФИАН, 2МФТИ (ГУ)

  1. «Эффект резистивного переключения в структурах металл-диэлектрик-металл на основе оксида церия»

Н. А. Семенов1,2, М. П. Теленков1,2, Ю. А. Митягин1,3

1ФИАН, 2НИТУ «МИСиС», 3НИЯУ «МИФИ»

11.«Процессы рассеяния на оптических фононах в системе уровней Ландау квантовых ям GaAs/AlGaAs»

Т. Н. В. Доан1,2, М. П. Теленков1,2, Ю. А. Митягин1,3

1ФИАН, 2НИТУ «МИСиС», 3НИЯУ «МИФИ»

  1. «Одноэлектронный и многочастичных спектр в квантовых проволоках с ограничивающим потенциалом вдоль оси»

Х. А. Л. Торрес1,2, М. П. Теленков1,2, Ю. А. Митягин1,3

1ФИАН, 2НИТУ «МИСиС», 3НИЯУ «МИФИ»

  1. «Фотоэлектрические и оптические свойства эпитаксиальных слоёв GaAsBi»

Д. Амири,, С.А. Савинов, Ю.А. Митягин, И.А. Булыгина, А. Итодо, М.П. Теленков, В.И. Цехош, А.А. Зверев

Ш. Д. Амири1,2, И.П. Казаков1, С. А. Савинов1, Ю. А. Митягин1,3, И. А. Булыгина1,2, А. Итодо1,2, В.И. Цехош1, М. П. Теленков1,2, А.А. Зверев1

1ФИАН, 2НИТУ «МИСиС», 3НИЯУ «МИФИ»

  1. «Анизотропное влияние зарождающейся сверхпроводимости на электронный транспорт в FeSe»

К. К. Кумар1, П. Д. Григорьев1,2

1НИТУ «МИСиС», 2ИТФ им. Ландау

  1. «Исследование кристаллов CdZnTe поверхностными акустическими волнами: определение кристаллографической ориентации и рассеяние ПАВ на двойниках»

Д. Ф. Аминев, А. Ю. Клоков, А. И. Шарков, В. А. Вершков, В. А. Цветков

ФИАН

  1. «Два типа изолированных (квантовых) излучателей сформированных ядром дислокации в кристаллах CdZnTe»

С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, С. И. Ченцов,

ФИАН

  1. «Оптические свойства моноизотопных GeV- центров окраски в изотопически чистой алмазной матрице С12 и С13»

Е. А. Екимов1, М. В. Кондрин1, С. Г. Ляпин1, П. С. Шерин2, В. С. Кривобок3, С. Н. Николаев3, Ю. А. Скаков3, В. А. Гавва4

1ИФВД РАН, 2МТЦ СО РАН, 3ФИАН, 4ИХВВ РАН

  1. «Генерация импульсов терагерцового излучения в топологических изоляторах Bi2-xSbxTe3-ySey»

П.И. Кузнецов1, Г.Х. Китаева2, К.А. Кузнецов2

1ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, 2МГУ им. М.В. Ломоносова, 2ИСВЧПЭ РАН

  1. «Распространение когерентных фононов гиперзвуковых частот в алмазных пластинах при комнатной температуре»

А.Ю.Клоков, С.А.Евлашин, А.И.Шарков, Р.А.Хмельницкий, В.А.Цветков

ФИАН

  1. «Однопиксельная камера»

Д.В. Сыч1,2, М.Д. Аксенов2,3

1ФИАН, 2РКЦ, 3МФТИ.

  1. «Влияние азимутального угла при рентгеноструктурном анализе объемных монокристаллов InSb».

А.Д. Шабрин, А.Е. Гончаров, Д.А. Пашкеев.

АО “НПО “Орион”.

  1. «Влияние азимутального угла при рентгеноструктурном анализе объемных монокристаллов InSb».

Е.А. Вараксина1,2, И.В. Тайдаков1,2, С.А. Амброзевич1,2.

1МФТИ (ГУ), 2ФИАН

  1. «Анализ эффективностей резонансного механизма электрон-ионной рекомбинации в тройных столкновениях с атомами буферного газа и процесса диссоциативной рекомбинации».

К.С. Кислов1,2, А.А. Нариц1,2, В.С. Лебедев1,2.

1МФТИ (ГУ), 2ФИАН

Мероприятие проводится при финансовой поддержке РФФИ (проект № 17-02-20552 Г).

19-20 октября 2017 г. ФИАН, Москва